EmmaChen

又一次强强联手,ADI 的GaN技术有多牛?

EmmaChen 在 2017-4-13 建立的討論區
最後回覆由舒行科於2017-4-16提供

不久前,ADI公司宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司,OneTree的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度、输出功率和效率,其丰富的专业知识积累,加之ADI公司在GaN技术上的战略重点,两大优势相结合,有利于扩展ADI公司面向基础设施、防务、仪器市场的高性能射频和微波信号链解决方案组合。

 

(收购详情看这里:http://www.analog.com/cn/about-adi/news-room/press-releases/2017/3-30-17-adi-acquires-broadband-gaas-gan-amplifier-expert-onetree.html

 

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众所周知,半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7倍,非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件,空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),在3V电压操作下可以有80%的功率增加效率,非常的适用于高层(hightier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。

 

ADI 在硅 (Si) 和砷化镓 (GaAs) 半导体技术领域享有盛誉,同时在大功率氮化镓 (GaN) 设计领域也取得了令人瞩目的成就。通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率,为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献,

 

 

如果你想问ADI在GaN技术上的到底有多牛?这不,ADI刚刚又推出两款高性能氮化镓(GaN)功率放大器(PA)模块,二者皆拥有同类产品最高的功率密度,可最大程度地缩减子系统的尺寸和重量。

 

这两款新产品分别是HMC7885和HMC7748,它们针对2 GHz至6 GHz频率范围的应用,包括测试和测量、通信、替代行波管(TWT)、航空监控、雷达等应用领域。这些完全集成的全固态器件扩展了ADI现有的GaN功率放大器系列,使用方便,可以加快原型开发和系统设计。

 

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HMC7885

一款32 W密封混合放大器,采用密封法兰贴装封装,适合高可靠性应用。这款混合放大器通常提供21 dB的小信号增益和45 dBm的饱和RF输出功率。该放大器采用28 V直流电源,静态电流为2.2 A。隔直RF输入和输出匹配至50 Ω,使用方便。另外还提供评估板以及布局图和物料单,为设计和用户应用提供便利。

http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/rf-amplifiers/power-amplifiers/hmc7885.html

 

HMC7748

完全集成的多级功率放大器模块,具有25 W的饱和输出功率,可接受最高-8 dBm输入,提供60 dB的小信号增益。它具有偏置时序控制和调节功能,还可内部匹配至50 ohm。该功率放大器采用12 V电源的功耗为0.7 A,采用28 V电源的最大功耗为4 A。它配有使能引脚以提供关断功能,因此放大器可在无周期供电的情况下打开和关闭。

http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/rf-connectorized-modules-instrumentation/rf-amplifier-modules/hmc7748.html

 

 

当然,ADI还有许多丰富的GaAs/GaN产品,可通过我们官网的在线产品选型表(http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/rf-amplifiers/power-amplifiers.html)选择您最需要的器件,不少都是推荐新产品设计使用的噢,例如:

 

HMC1081

一款GaAs双平衡混频器。 它可用作上变频器或下变频器,IF端口频率范围为DC至26 GHz,RF端口频率范围为50至75 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。

http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/mixers/single-double-triple-balanced-mixers/hmc1081.html#product-overview

 

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HMC545A/HMC545AE

HMC545A和HMC545AE均为低成本GaAs SPDT开关,采用6引脚SOT26塑料封装,适用于要求极低插入损耗和极小尺寸的通用开关应用。 这些器件具有0.25 dB的典型损耗,可控制频率范围为DC至3.0 GHz的信号,尤其适合IF和RF应用,包括蜂窝/3G、ISM、汽车和笔记本电脑。 该设计提供出色的插入损耗性能,非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下,RF1和RF2反射短路。 两个控制电压所需的直流电流非常小,并与CMOS和一些TTL逻辑系列兼容。

http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/rf-switches/spst-spdt-sp3t-sp4t-sp6t-sp8t/hmc545a.html#product-overview

 

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HMC8500

一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.01 GHz至2.8 GHz时提供>10 W功率、55%功率附加效率(PAE),增益平坦度为±1.0 dB(典型值)。非常适合脉冲或连续波(CW)应用,如无线基础设施、雷达、公共移动无线电和通用放大。HMC8500放大器采用低成本、表贴器件实现外部调谐,并采用紧凑型LFCSP封装。

http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/rf-amplifiers/power-amplifiers/hmc8500.html#product-overview

 

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HMC1114

一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在带宽范围为2.7 GHz至3.8 GHz时提供10 W功率,PAE超过50 %。 HMC1114提供±0.5 dB的增益平坦度。采用紧凑型LFCSP封装,HMC1114非常适合脉冲或连续波(CW)应用,如无线基础设施、雷达、公共移动无线电和通用放大。

http://www.analog.com/cn/products/rf-microwave/rf-amplifiers/power-amplifiers/hmc1114.html#product-overview

 

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同时,您还可以观看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein(ADI航空航天与国防业务部门总经理)的访谈,了解ADI氮化镓器件和解决方案的最新进展与新应用:

http://www.analog.com/cn/education/education-library/videos/5196119182001.html

 

以及涵盖从MMIC元件到RF和微波频率范围的ADI全功率GaN放大器介绍:

http://www.analog.com/cn/education/education-library/videos/5130307501001.html

結果